英諾賽科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)。公司采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，集芯片設(shè)計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析于一體，擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力。公司的主要產(chǎn)品涵蓋從低壓到高壓（30V-700V）的氮化鎵功率器件，產(chǎn)品設(shè)計及性能均達到國際先進水平。 

    英諾賽科已在激光雷達、數(shù)據(jù)中心、5G通訊、高密度高效快速充電、無線充電、車載充電器、LED 燈照明驅(qū)動等方面發(fā)布產(chǎn)品方案，并與國內(nèi)多家應用頭部企業(yè)開展深度合作，實現(xiàn)量產(chǎn)。英諾賽科作為技術(shù)全球領(lǐng)先的第三代半導體公司，在8英寸硅基氮化鎵核心技術(shù)和關(guān)鍵工藝領(lǐng)域已實現(xiàn)重大突破，建立了高功率密度、高效率、高增益、低成本的硅基氮化鎵量產(chǎn)平臺，實現(xiàn)了中國第三代半導體零的突破。